次世代回路シミュレーション用高精度MOSトランジスタモデル

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三浦 道子 

MICHIKO MIURA

division.jpg先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻 半導体集積科学講座

position.jpg教授

研究概要

研究内容

トランジスタモデルは,LSI開発における最も重要な基本技術で,集積回路設計に不可欠な回路シミュレータの心臓部にあたるものである。
 当研究室では,次世代の回路シミュレーション用の高精度MOSトランジスタモデルを開発し,世界のベンダーにリリースしている。このモデルは線幅 0.10μm以降でも,高精度であることが実証されており,シミュレーションに際してのパラメータ抽出日数は,従来のデファクトスタンダードの8分の1,パラメータ数は6分の1と高速化が実現している。
 このような研究成果をベースにして,当研究室では,次のようなことが可能である。
①自ら設計した集積回路をファウンドリーで製品化していく場合に,ファウンドリーから提供されるデータだけでは不十分な場合に,これを補充するシステムの提供。
②最先端の回路設計を行いたい時に,これを実現するための必要なデータ構築。

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